SAMSUNG 850 EVO M.2 2280 500GB SATA III 3D NAND Internal SSD Single Unit Version MZ-N5E500BW

Характеристики 500 ГБ SSD M.2 накопитель Samsung 850 EVO [MZ-N5E500BW] 

Классификация 

Модель:   Samsung 850 EVO [MZ-N5E500BW] 

Аппаратная составляющая 

Контроллер:   Samsung MGX 

Тип памяти:   TLC 3D V-NAND 

Интерфейс NAND памяти:   V-NAND 

Буферная память:   512 МБ 

Плата 

Форм-фактор:   2280 

Длина:   80 мм 

Ширина:   22 мм 

Толщина:   2.38 мм 

Компоновка чипов памяти:   односторонняя 

Подключение 

Ключ M.2 разъема:   B & M

Интерфейс:   SATA 3

NVMe:   нет

Адаптер PCI-E - M.2 в комплекте:   нет

Показатели скорости

Максимальная скорость последовательного чтения (Мбайт/с):   540 Мбайт/с

Максимальная скорость последовательной записи (Мбайт/с):   500 Мбайт/с

Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32):   97000 IOPS

Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32):   89000 IOPS

Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1):   10000 IOPS

Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1):   40000 IOPS

Пропускная способность интерфейса:   6 Гбит/с

Надежность

MTBF (Среднее время между отказами):   1.5 млн ч

Максимальная перегрузка (ударостойкость):   1500 G (0.5 мс)

Дополнительно

Поддержка команды TRIM:   есть

Энергопотребление:   3.5 Вт

Особенности, дополнительно:   технология TRIM, технология Garbage Collection